Инвентаризация:13111

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 52A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 52A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 137µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSON-8-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3680 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 10A DC

Инвентаризация: 11234

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

Инвентаризация: 5529

MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

Инвентаризация: 6335

DIODE ZENER 150V 1W SOD123W

Инвентаризация: 7561

MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF

Инвентаризация: 4218

Top