- Модель продукта IPL60R065C7AUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET HIGH POWER_NEW
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6600
Технические детали
- Пакет/кейс 4-PowerTSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15.9A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 180W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 800µA
- Пакет устройств поставщика PG-VSON-4-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2850 pF @ 400 V