Инвентаризация:2798

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 20W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 20µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IAUC120N04S6L012ATMA1

Инвентаризация: 33142

MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

Инвентаризация: 4534

MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,

Инвентаризация: 1465

MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN

Инвентаризация: 1500

MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Инвентаризация: 0

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 11567

Top