- Модель продукта IPB032N10N5ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3480
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 166A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 83A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 187W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 125µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6970 pF @ 50 V