Инвентаризация:2210

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 89A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 125 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4670 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

Инвентаризация: 2876

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

Инвентаризация: 1980

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 13800

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 300

MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V

Инвентаризация: 2995

Top