- Модель продукта SIRB40DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 46.2W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4290pF @ 20V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45nC @ 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual