Инвентаризация:1586

Технические детали

  • Пакет/кейс 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 4 P-Channel, Matched Pair
  • Рабочая Температура 0°C ~ 70°C
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 500mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 8V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2.5pF @ 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 20mV @ 1µA
  • Пакет устройств поставщика 16-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Инвентаризация: 27

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Инвентаризация: 40

Top