- Модель продукта EPC2039
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.8A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.4 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 210 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
DIODE CUR REG 100V 420UA 500MW
Инвентаризация: 4982
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 22058
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 15879
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Инвентаризация: 40896
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Инвентаризация: 94617
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Инвентаризация: 14425
GANFET N-CH 80V 10A DIE
Инвентаризация: 22152
GANFET N-CH 65V 4A DIE
Инвентаризация: 9793
