Инвентаризация:23652

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2mA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.2 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 238 pF @ 40 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


TERM BLK 2P SIDE ENT 3.81MM PCB

Инвентаризация: 7325

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 22058

TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101

Инвентаризация: 25981

GANFET N-CH 80V 90A DIE

Инвентаризация: 60719

GANFET N-CH 100V 18A DIE

Инвентаризация: 153697

TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101

Инвентаризация: 23295

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

Top