Инвентаризация:6260

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5340 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

Инвентаризация: 360

MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON

Инвентаризация: 4353

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Инвентаризация: 34062

Top