Инвентаризация:6721

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 39W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 755 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE AND 2CH 2-INP 8VSSOP

Инвентаризация: 1868

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

Инвентаризация: 97437

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3987

MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8

Инвентаризация: 13686

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 61159

MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT

Инвентаризация: 17932

Top