- Модель продукта SPD04N80C3ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:23365
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 63W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 240µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 570 pF @ 100 V