Инвентаризация:4012

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 192A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 441W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-220AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 255 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5

Инвентаризация: 13107

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 425

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Инвентаризация: 2000

MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

Инвентаризация: 1555

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Инвентаризация: 1793

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Инвентаризация: 8476

PLANAR PASSIVATED SILICON CONTRO

Инвентаризация: 5691

Top