Инвентаризация:2652

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-263AA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 646 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Инвентаризация: 122

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

IGBT 3000V 130A 625W TO264

Инвентаризация: 0

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

Инвентаризация: 289

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268

Инвентаризация: 960

MOSFET N-CH 3000V 2A TO268

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 1200V 0.2A SOT223

Инвентаризация: 3091

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

Инвентаризация: 690

Top