Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-3
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 175W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика HiP247™
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +25V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 nC @ 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 650 pF @ 400 V