Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-3
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 103W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 3.33mA
• Пакет устройств поставщика TO-247N
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
• ВГС (Макс) +22V, -4V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 460 pF @ 500 V