Инвентаризация:4635

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53.1 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2569 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 32714

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

Top