Инвентаризация:2879

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 55W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6) HV
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 580 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top