Инвентаризация:30849

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 225 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6600 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


SENSOR 18.27PSIA 24BIT 10HLGA

Инвентаризация: 99783

SENSOR HUMID/TEMP 5V I2C 2% SMD

Инвентаризация: 13831

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

Инвентаризация: 64955

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 22646

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Инвентаризация: 38344

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

Инвентаризация: 37285

SENSOR 5PSID 0.08" 4.5V 8DIP

Инвентаризация: 1878

Top