Инвентаризация:2692

Технические детали

  • Пакет/кейс 10-SIP
  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип транзистора 4 NPN Darlington (Quad)
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Мощность - Макс. 4W
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3A
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 200V
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2V @ 1.5mA, 1A
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V
  • Пакет устройств поставщика 10-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP

Инвентаризация: 0

DIODE ZENER 16V 500MW SOD123

Инвентаризация: 45831

Top