Технические детали

• Пакет/кейс 12-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Конфигурация 4 N-Channel
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 4W (Ta), 28W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 230pF @ 25V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 550mOhm @ 2A, 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 12-SIP