Инвентаризация:4238

Технические детали

  • Пакет/кейс 12-SIP
  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип транзистора 4 NPN Darlington (Quad)
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Мощность - Макс. 4W
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3A
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100V
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 1.5A
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 2000 @ 1.5A, 4V
  • Частота – переход 40MHz
  • Пакет устройств поставщика 12-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP

Инвентаризация: 0

TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP

Инвентаризация: 583

Top