Инвентаризация:139916

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 410mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 40mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 470mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 80 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 15V 250MW 2DFN

Инвентаризация: 16111

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

Инвентаризация: 2951

MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26

Инвентаризация: 3469

Top