Инвентаризация:11252

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.1A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 109mOhm @ 500mA, 8A
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 3-PICOSTAR
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) 12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.35 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 195 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 38111

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 69730

PMCB60XN/NAX000/NONE

Инвентаризация: 22905

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

Инвентаризация: 93368

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Инвентаризация: 7988

Top