Инвентаризация:6825

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-SMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 320mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TUMT3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 230 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Инвентаризация: 453157

MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F

Инвентаризация: 1458672

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Инвентаризация: 12418

MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3

Инвентаризация: 12524

MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

Инвентаризация: 28854

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Инвентаризация: 5825

Top