Инвентаризация:454657

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 260mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 430mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 25 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Инвентаризация: 754050

MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

Инвентаризация: 955336

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

Инвентаризация: 32955

Top