Инвентаризация:755550

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 750mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 550mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 470mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 36 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


IC INVERT SCHMITT 1CH 1IN 4X2SON

Инвентаризация: 6499

MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411

Инвентаризация: 54914

SENSOR HUMID/TEMP

Инвентаризация: 9398

Top