Инвентаризация:14024

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-SMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 460mOhm @ 1A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 800mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TUMT3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 45 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.3 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 160 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4892

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7802

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

Инвентаризация: 9823

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

Инвентаризация: 126351

Top