Инвентаризация:6392

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 879 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223

Инвентаризация: 47736

P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1

Инвентаризация: 4840

MOSFET P-CH 60V 5A SOT-223

Инвентаризация: 15000

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7003

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7802

MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3

Инвентаризация: 12524

MOSFET N-CH 60V 4A SOT223

Инвентаризация: 85196

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

Инвентаризация: 126351

Top