Инвентаризация:46466

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.8W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1540pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 16A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN

Инвентаризация: 652

N

Инвентаризация: 2965

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 17861

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Инвентаризация: 77049

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

Инвентаризация: 4433

Top