Инвентаризация:23510

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta), 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 645 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Инвентаризация: 8347

MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33

Инвентаризация: 9626

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Инвентаризация: 2786

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

Инвентаризация: 1379

Top