Инвентаризация:11126

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 12A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 38W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 12µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-33
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 670 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Инвентаризация: 1018

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

IAUC120N04S6N006ATMA1

Инвентаризация: 7540

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 3395

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Инвентаризация: 2786

Top