Инвентаризация:75599

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора PNP
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
  • Частота – переход 300MHz
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Оценка Automotive
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 250 mW
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN

Инвентаризация: 29822

MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP

Инвентаризация: 15319

TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 53109

Top