Инвентаризация:10516

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.9A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 295mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 5973

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 6748

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 12581

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

Инвентаризация: 2840

Top