Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19.7A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 13A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2610 pF @ 15 V