Технические детали

• Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 600mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.8A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 300pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 6-MicroFET (1.6x1.6)