- Модель продукта SI3900DV-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 830mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-TSOP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Инвентаризация: 13660
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Инвентаризация: 14636
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Инвентаризация: 8462
DIODE ZENER 3.5V 1W PMDS
Инвентаризация: 1228
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Инвентаризация: 13869
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Инвентаризация: 94601
