- Модель продукта QS6K1FRATR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15369
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура 150°C
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 900mW (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 77pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TSMT6 (SC-95)
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101