Инвентаризация:9962

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 180 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU

Инвентаризация: 471

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU

Инвентаризация: 0

BRIDGE 1-PH GBU 800V 4A 150C

Инвентаризация: 974

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO

Инвентаризация: 16282

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 3914

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 14822

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

Инвентаризация: 1895

Top