Инвентаризация:5414

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 180 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 95454

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100

Инвентаризация: 8476

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 8462

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Инвентаризация: 5570

CONN BARRIER STRIP 4CIRC 0.375"

Инвентаризация: 12753

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 2210

Top