Инвентаризация:1540

Технические детали

  • Пакет/кейс 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 4 N-Channel, Matched Pair
  • Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 500mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2.5pF @ 5V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 20mV @ 1µA
  • Пакет устройств поставщика 16-PDIP

Сопутствующие товары


TRANS NPN 40V 0.8A TO18

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

Инвентаризация: 0

BJT TO92 40V NPN 0.625W 150C

Инвентаризация: 0

BJT TO-92 40V 600MA

Инвентаризация: 0

TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1

Инвентаризация: 4832

TRANS NPN EBC 0.6A 75V TO-92

Инвентаризация: 5400

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 558

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

Инвентаризация: 48

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

Инвентаризация: 86

IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3

Инвентаризация: 331

Top