Инвентаризация:14607

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 18A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 57W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 35µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-5
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 890 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

Инвентаризация: 6335

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

Инвентаризация: 15563

MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6

Инвентаризация: 23387

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

Инвентаризация: 227159

MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON

Инвентаризация: 15542

MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23

Инвентаризация: 28716

NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE

Инвентаризация: 2454

Top