Инвентаризация:14200

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-SIP, GBJ
  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип диода Single Phase
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии Standard
  • Пакет устройств поставщика GBJ
  • Напряжение — пиковое обратное (макс.) 600 V
  • Ток – средний выпрямленный (Io) 35 A
  • Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If 1.05 V @ 17.5 A
  • Ток – обратная утечка @ Vr 10 µA @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBJ

Инвентаризация: 3572

BRIDGE RECTIFIERS 600V 50A,GBJ

Инвентаризация: 741

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Инвентаризация: 386

Top