Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 4 N-Channel (Solar Inverter)
• Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 272W (Tj)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 91A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6331pF @ 800V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 70A, 18V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 306nC @ 20V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 40mA
• Пакет устройств поставщика 29-PIM (56.7x42.5)