Инвентаризация:2280

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 77A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 348W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 15mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2430 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 763

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 800

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 722

Top