Инвентаризация:1621

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
  • Особенность полевого транзистора Depletion Mode
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика TO-263AA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 645 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Инвентаризация: 5490

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

Инвентаризация: 305

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV

Инвентаризация: 218

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252

Инвентаризация: 0

Top