Инвентаризация:1777

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.1A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 233.9mOhm @ 3A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 80W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 900µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.9 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 953

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 980

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 978

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

Top