- Модель продукта IPB019N06L3GATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9226
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 196µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 166 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28000 pF @ 30 V