- Модель продукта GT035N10Q
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1554
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 190A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 277W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6516 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Инвентаризация: 1732
MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Инвентаризация: 323
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Инвентаризация: 58
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Инвентаризация: 420
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Инвентаризация: 82
