- Модель продукта SI2312BDS-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:47243
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.9A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 750mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 850mV @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V